1，物理性质：

原子量：69.723

熔点：value="29.78" unitname="℃" w:st="on">29.78 ℃

沸点：value="2403" unitname="℃" w:st="on">2403 ℃

密度：value="5.907" unitname="g" w:st="on">5.907 g/cm³ (value="20" unitname="℃" w:st="on">20℃)

莫比硬度：value="1.5" hasspace="True" negative="False" numbertype="1" tcsc="0" w:st="on">1.5 kg/mm²

超临界温度：1.087K

固态略带兰色，质软，液态银白色。

2，规格：

化学纯度：

高纯镓：Ga-04 纯度99.99%以上，银，铝，钙，铬，铜，铁，汞，铟，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于100ppm；

超纯镓：Ga-05 纯度99.999%以上，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于10ppm；

超高纯镓：Ga-06 纯度99.9999%以上，铜，铁，镁，锰，镍，铅，锑，锡，锌杂质总含量小于1ppm。

3，物理性状：固体。

4，用途：

主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，为GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高纯合金，晶体管合金，超低温合金，原子反应堆中之热载体以及锗，硅单晶的掺杂剂。

5，包装：聚乙烯瓶封装，塑料薄膜外封。